Samsung Electronics je sporočil, da je pričel s serijsko proizvodnjo najnaprednejših pomnilniških modulov DDR4 velikosti 8 Gb in skupaj z njimi začel s proizvodnjo prvih 32 GB DDR4 RAM modulov, namenjenih korporativnim strežnikom. Ti novi pomnilniki RAM so izdelani z uporabo novega 20-nm proizvodnega procesa, ki je enak procesu, ki se uporablja za izdelavo celo najnaprednejših mobilnih procesorjev danes. Samsung trdi, da ti pomnilniški moduli izpolnjujejo vse zahteve visoke zmogljivosti, visoke gostote in varčevanja z energijo v korporativnih strežnikih naslednje generacije.
Poleg tega je Samsung z novimi moduli 8 Gb DDR4 dokončal celotno linijo modulov DRAM, izdelanih z uporabo 20-nm proizvodnega procesa. Danes ta serija vključuje 6 Gb LPDDR3 za mobilne naprave in 4 Gb DDR3 module za osebne računalnike. Nato, kot je omenjeno zgoraj, Samsung začne proizvajati 32 GB RDIMM pomnilniške module, ki ponujajo hitrost prenosa 2 Mbps na pin, kar predstavlja 400-odstotno povečanje zmogljivosti v primerjavi s hitrostjo prenosa 29 Mbps strežniškega pomnilnika DDR1. Vendar se zmogljivosti te tehnologije ne ustavijo pri 866 GB in Samsung je izjavil, da je z uporabo tehnologije 3D TSV mogoče razviti do 32 GB pomnilniškega modula. Prednost novih modulov je tudi omenjena manjša poraba, saj ti DDR3 čipi zahtevajo 128 volta, kar je trenutno najnižja možna napetost.
//
//
*Vir: Samsung
