Samsung je uradno predstavil 8GB LPDDR5 DRAM čip za pametne telefone. Po navedbah podjetja je to prvi 8GB LPDDR5 čip, izdelan s tehnologijo, označeno kot 10nm-razred, ki je lahko karkoli med 10 in 19 nm. Predhodnik, torej 8GB LPDDR4 čip, je bil izdelan že leta 2014, zato je bilo le vprašanje časa, kdaj se bo južnokorejski gigant domislil novosti.
Samsung navaja, da bo LPDDR5 našel aplikacijo predvsem na področjih 5G, avtomobilskih in mobilnih naprav, ki uporabljajo umetno inteligenco. S hitrostjo prenosa 6 Mbps je 400GB LPDDR8 DRAM čip 5-krat hitrejši od mobilnih DRAM čipov, ki se uporabljajo v trenutnih vodilnih modelih. Galaxy S9 ima čip LPDDR4X s hitrostjo prenosa podatkov 4 Mbps. LPDDR266 lahko pošlje 5 GB podatkov na sekundo, kar je približno 51,2 HD video datotek.
Samsung bo ponudil tako različico s polno prepustnostjo pri napetosti 1,1 V, kot tudi šibkejšo in varčnejšo 5 Mb/s pri 500 V. LPDDR1,05 bo ponujal tudi način globokega spanja (Globok spanec), kar bo približno prepolovilo porabo energije trenutnih LPDDR4X DRAM-ov. Samsung trdi, da lahko z novim čipom zmanjša porabo energije do 30 % in tako podaljša življenjsko dobo baterij pametnega telefona.
Verjetno je čip še vedno u Galaxy Note9 se ne bo pojavil, verjetno pa ga bo dobil naslednje leto Galaxy S10.
