Oddelek za polprevodnike Samsung Foundry je objavil, da je začel s proizvodnjo 3nm čipov v svoji tovarni v Hwasongu. Za razliko od prejšnje generacije, ki je uporabljala tehnologijo FinFet, korejski gigant sedaj uporablja GAA (Gate-All-Around) tranzistorsko arhitekturo, ki bistveno poveča energetsko učinkovitost.
3nm čipi z MBCFET (Multi-Bridge-Channel) GAA arhitekturo bodo pridobili večjo energijsko učinkovitost med drugim z znižanjem napajalne napetosti. Samsung uporablja tudi nanopločaste tranzistorje v polprevodniških čipih za visoko zmogljive nabore čipov pametnih telefonov.
Fotogalerie
V primerjavi s tehnologijo nanožic nanoplošče s širšimi kanali omogočajo večjo zmogljivost in boljšo učinkovitost. S prilagoditvijo širine nanoplošč lahko stranke Samsung prilagodijo delovanje in porabo energije svojim potrebam.
Lahko bi vas zanimalo
V primerjavi s 5nm čipi imajo novi po navedbah Samsunga 23 % večjo zmogljivost, 45 % manjšo porabo energije in 16 % manjšo površino. Njihova 2. generacija naj bi tako nudila 30 % boljšo zmogljivost, 50 % večjo učinkovitost in 35 % manjšo površino.
»Samsung hitro raste, saj še naprej izkazujemo vodilno vlogo pri uporabi tehnologij naslednje generacije v proizvodnji. Naš cilj je nadaljevati to vodstvo s prvim 3nm procesom z arhitekturo MBCFETTM. Še naprej bomo aktivno uvajali inovacije v konkurenčnem tehnološkem razvoju in ustvarjali procese, ki pomagajo pospešiti doseganje tehnološke zrelosti.« je dejal Siyoung Choi, vodja Samsungovega oddelka za polprevodnike.
