Samsung je danes začel množično proizvodnjo svojih novih modulov DDR3 DRAM z uporabo 20-nanometrskega proizvodnega procesa. Ti novi moduli imajo kapaciteto 4 Gb, tj. 512 MB. Razpoložljivi pomnilnik posameznih modulov pa ni njihova primarna lastnost. Napredek je prav v uporabi novega proizvodnega procesa, ki ima za posledico do 25 % manjšo porabo energije v primerjavi s starejšim, 25-nanometrskim procesom.
Prehod na 20-nm tehnologijo je tudi zadnji korak, ki podjetje loči od začetka proizvodnje pomnilniških modulov po 10-nm procesu. Tehnologija, ki se trenutno uporablja v novih modulih, je tudi najnaprednejša na trgu in se lahko uporablja ne samo z računalniki, temveč tudi z mobilnimi napravami. Za računalnike to pomeni, da je Samsung zdaj sposoben ustvariti čipe z enako velikostjo, vendar z bistveno večjim operativnim pomnilnikom. Samsung je prav tako moral spremeniti svojo obstoječo tehnologijo, da bi lahko naredil čipe manjše, hkrati pa ohranil trenutno proizvodno metodo.
- Morda vas bo zanimalo: Samsung je razvil prvi 8Gb LPDDR4 mobilni pomnilnik DRAM
